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IRFR/U3706CPbF
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
10
I D = 28A
10000
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
8
V DS = 16V
V DS = 10V
Ciss
6
1000
100
Coss
Crss
4
2
10
0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
100
T J = 175 ° C
100
100us
10
1ms
1
T J = 25 ° C
10
10ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4         1.8
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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